更新時(shí)間:2024-05-10
我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘型半導(dǎo)體探測器,A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點(diǎn),適用于對(duì)能譜要求高的場合,如氡釷分析儀等,B 系列在A 系列的窗前鍍上一個(gè)保護(hù)層,克服了易損壞、窗不能擦試等缺點(diǎn)適用于對(duì)能量分辨率要求不高,作為放射性強(qiáng)度測量的探測器。
品牌 | 飛諾飛 | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,能源 |
我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘型半導(dǎo)體探測器,A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點(diǎn),適用于對(duì)能譜要求高的場合,如氡釷分析儀等,B 系列在A 系列的窗前鍍上一個(gè)保護(hù)層,克服了易損壞、窗不能擦試等缺點(diǎn)適用于對(duì)能量分辨率要求不高,作為放射性強(qiáng)度測量的探測器。
型號(hào) | 工作電壓 | 對(duì)比ORTEC U-016-300-100 型 探測器 (Am-241 面源) 真空下測量能量分 辯率1.2% | 對(duì)比ORTEC U-016-300-100 型 探測器 (Am-241 面源) 真空下測量峰道址 202 |
A-AS20 | 5~300VDC | 大于1000 | 204~206 |
A-AS26 | 5~300VDC | 大于1000 | 204~206 |
B-AS20 | 5~300VDC | 大于1000 | 189-191 |
B-AS26 | 5~300VDC | 大于1000 | 189-191 |